在芯片制造的过程中，我们经常会听到lot, wafer、die、chip这几个词。那么这几个词的分别代表什么呢以及如何区分？

1.芯片（die or chip）：晶圆上的薄小块，嵌入了电路的部分，即集成电路（IC）芯片，未封装之前叫die，封装之后叫chip。

2.切割道（Scribe Line）：位于芯片之间的边界区域，没有任何电路的部分，用于分割晶圆上的各个芯片。但切割道会放一些TEG，用于量产 inline 监测。

3.测试元件组（TEG，Test Element Group）：一种用于测试功能是否正常的测试单元。

4.边缘晶粒（Edge Die）：晶圆边缘损坏的部分。直径较大的晶圆相比直径较小的晶圆，其损坏部分更少，从而降低了损耗系数。

5.平边区（Flat Zone or Notch）：平边区（Flat Zone）：平边区域的引入是为了帮助识别晶圆的结构，并在晶圆加工过程中作为参考线使用。由于晶圆的结构过于微小，肉眼无法直接分辨其方向，因此可以通过 flat zone 来确定晶圆的方向。

缺口（Notch）：为了节省面积，带有缺口的晶圆逐渐取代了带有平边区的晶圆。与平边区晶圆相比，缺口晶圆的效率更高，因为它能在同等晶圆面积内制造出更多的晶粒（Die）。

00.lot

lot指一组晶圆或一批产品。一个lot通常由数十个晶圆组成，具体数量取决于工厂的设备和生产要求。一般一个FOUP里能装一批lot，典型的lot一般包含25片晶圆。FOUP是前开统一吊舱或前开通用吊舱的缩写，是一种用于处理半导体硅片的特殊工具。这些是塑料腔室状的盒子或外壳，在制造过程中用作在半导体晶圆周围移动的传输介质。

01.Wafer（晶圆）

首先，对于wafer，也就是晶圆。晶圆可以看作是芯片的“原材料”，它是由高纯度的硅或其他半导体材料制成的圆形薄片。

晶圆的直径有多种规格，比如我们常见的4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等（1inch=25.4mm）。在实际工艺中，晶圆并不是一个完整的圆，为了方便预对准及判断晶向，可以分为三种类型的晶圆：圆形晶圆、带有定位平边的晶圆（flat wafers，平边晶圆）和带有定位缺口的晶圆（notched wafers，缺口晶圆）。

晶圆是芯片制造的起始点，会通过一系列的集成电路制造工艺，比如光刻、蚀刻、离子注入等，形成多层的电路结构，这些电路结构中的每一个独立单元称为晶粒（Die）。

02.Die（晶粒）

当晶圆完成所有制造工艺后，它会被切割成多个小块，每个小块就是一个独立的die，每个die包含一个完整的独立的集成电路单元或电子器件，可以完成特定的计算或存储任务。

die是未经封装的裸片，虽然具有完整的功能，但是它还不能直接应用于电子设备中。

03.Chip（芯片）

最后，chip，也就是我们通常所说的芯片。芯片是经过封装后的die，它具备保护、散热和便于安装等特性。封装的过程就像是给die穿上一件“防护服”，保护它免受物理损坏和环境污染，同时提供电气连接点，以便与外部电路板或其他电子设备相连。

芯片是最终应用于电子设备中的组件，比如我们组装电脑买的CPU芯片，存储颗粒，传感器等。封装后的芯片能更好地适应各种工作环境，并方便与其他电子元件进行连接和集成。

04.三者联系

它们之间的关系可以用一个简单的流程来表示：晶圆（wafer）→ 裸片（die）→ 芯片（chip）。

首先，晶圆作为原材料，通过一系列制造工艺形成多个电路结构；然后，这些电路结构被切割成独立的die；最后，这些die经过封装变成我们熟悉的芯片。

封装目前有传统封装和现在先进的晶圆级封装。

05.封装

传统封装（先从晶圆上分离出单个芯片后再进行封装）；晶圆级封装（WLP，在晶圆级上进行部分或全部封装工艺，再切割成单件）。 先进封装与传统封装的最大区别在于连接芯片的方式，先进封装可在更小空间内实现更高设备密度，并使功能得到扩展。

Reference:

1. Samsung.

2. A Momentum Contrastive Learning Framework for Low-Data Wafer Defect Classification in Semiconductor Manufacturing

3. INQUIVIX TECHNOLOGIES

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